MEMORIA DDR4 8GB 2666MHZ KINGSTON KSM26ES8/8 ECC

Recursos:

• Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP = 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para
dados, strobe e sinais de máscara
• Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
• Geração e calibração de VREFDQ na matriz
• Single-rank
• EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
• Sensor de temperatura com SPD integrado
• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
• Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8
através do conjunto de registro de modo (MRS)
• Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
• Topologia fly-by
• Comando de controle terminado e barramento de endereço
• PCB: Altura 1,23 ”(31,25 mm)
• Compatível com RoHS e livre de halogênio

Especificações:

CL (IDD): 19 ciclos
Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
Classificação UL: 94 V-0
Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.